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AlSi50, también llamado CE11 en algunos países. Debido al excelente desempeño como CTE bajo, baja densidad, alta conductividad térmica y buenas propiedades mecánicas, es ampliamente utilizado en las cubiertas del paquete electrónico, portadores, módulos, encabezados por RF/microondas, óptica y fibra, semiconductores, industria aeroespacial y otras industrias high-end.
Ventajas:
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● Baja densidad: 2,4 g/cm3--2,7 g/cm3;
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● CTE bajo: 7-20ppm / ° c, compatible con chips;
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● Sustitución de Kovar, AlSiC, Cu-W, Cu-Mo;
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● Fácil de ser trabajado a máquina (sin necesidad de Cu-Mo disipadores);
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● Facilidad de planchas y soldadura.
Aplicaciones:
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● Módulos de microondas para el uso de las telecomunicaciones vía satélite;
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● Cubiertas de amplificador y T/R módulos de RF/microondas, industria de la onda de milímetro;
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● Amplificador cubiertas y placa portadora de láser en la industria optoelectrónica.
Grado |
Contenido de si |
CTE |
Conductividad térmica 25℃W/M.k |
Densidad g/cm3 |
Resistencia a la tracción |
Rendimiento fuerza MPa |
De Poisson Relación de |
Alargamiento |
Elástico |
AlSi50 |
50% |
11.5 |
140 |
2.5 |
220 |
210 |
0.28 |
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118 |